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991.
Transistors: Impact of Interfacial Microstructure on Charge Carrier Transport in Solution‐Processed Conjugated Polymer Field‐Effect Transistors (Adv. Mater. 11/2016) 下载免费PDF全文
992.
993.
Field‐Effect Transistors: Integration of Organic Electrochemical and Field‐Effect Transistors for Ultraflexible,High Temporal Resolution Electrophysiology Arrays (Adv. Mater. 44/2016) 下载免费PDF全文
994.
为提高TiO_2的光催化活性,利用原位氧化聚合法制备聚2-氨基苯磺酸改性TiO_2(P2ABSA/TiO_2)纳米颗粒,通过TEM、EDS、XRD、UV-Vis DRS和Photocurrent Test进行表征,以亚甲基蓝为模拟污染物,优化纳米材料制备条件,考察初始pH值和P2ABSA/TiO_2浓度对光催化效果的影响,通过捕捉实验判定活性氧物种在光催化过程中的贡献。结果表明:P2ABSA/TiO_2纳米颗粒最优制备条件为P2ABSA、TiO_2和氧化剂的物质的量之比2∶1∶2、HCl浓度1.2mol/L;TiO_2表面存在一层P2ABSA膜,P2ABSA改性没有改变TiO_2的物相和晶粒尺寸;P2ABSA/TiO_2纳米颗粒对可见光的响应提高,光电流密度从18.3μA/cm2提高到28.7μA/cm2;溶液初始pH值由3.93升至11.36,亚甲基蓝脱色率由92.0%提高到99.0%,P2ABSA/TiO_2纳米颗粒浓度最佳值为1.5g/L;活性氧物种在光催化过程中的贡献大小顺序为·OHh+·O-2,P2ABSA对TiO_2的光敏化作用是P2ABSA/TiO_2纳米颗粒光催化活性得到提高的主要原因。 相似文献
995.
通过对高强螺栓多工位冷镦变形分区的金属流动、显微组织、力学性能及其变化规律进行分析,并采用Deform-3D数值模拟和实际产品成形相结合的方法,来研究高强材料的多工位冷镦变形行为。结果表明:多工位冷镦变形属于低动态变形;大、小变形区的宏观流线和显微组织有明显的"遗留性",而难变形区由于高强材料的"包辛格效应",铁素体由拉长的晶粒变成等轴晶粒,而珠光体的带状消失,组织"遗留性"最差;通过低动态多工位冷镦变形,20MnTiB高强钢微观组织中铁素体和珠光体均发生了形变强化,且硬度值的增幅相近。 相似文献
996.
997.
根据17层框-剪结构大楼的结构特点,采取将大楼分为A、B两部分延时1.2 s起爆,"向北定向倒塌"的总体爆破方案。依据现场试爆效果,炸药单耗定为1.8 kg/m3,选用孔内3400 ms、孔外400 ms高精度导爆管雷管接力传爆。结合现场踏勘情况和影像资料全面分析了大楼A区和B区的倒塌效果。结果表明:采用"分区分段"爆破拆除框剪结构大楼时,需要综合考虑各区之间的相互关系,以及剪力墙结构对倒塌效果的影响;为改善倒塌效果,应适当加强对剪力墙的预处理。此外,运用LS-DYNA动力学有限元软件,验证了爆破总体方案中切口高度和延期时间的合理性,计算得到大楼的爆破倒塌过程和堆积形态,与实际效果比较吻合。采用覆盖防护、近体防护、保护性防护措施和综合降尘手段,大大降低了个别飞散物和粉尘对周边建(构)筑物及周围居民的影响。 相似文献
998.
建立了氮极性(N-polar)GaN基HEMT器件的准二维(Quasi-2-D)电荷传输模型,仿真研究了N-polar GaN基HEMT的直流特性。仿真结果表明,不同的极化效应会对输出特性曲线和转移特性曲线产生不同的影响,考虑自发极化效应(Psp)+压电极化效应(Ppe)、只考虑Ppe和只考虑Psp三种情况下的阈值电压分别为:-3.96V、-2.29V和-2.47V,而其对应的峰值跨导则分别为44mS/mm、41.2mS/mm和41.3mS/mm。该模型为N-polar GaN基HEMT器件仿真提供了理论参考。 相似文献
999.
1000.
本文简述了磁制冷的基本原理,分析磁制冷工质的熵特性,总结了近几年磁制冷材料的最新进展,对磁制冷材料未来的发展进行了展望。 相似文献